MOSFETやIGBT等の考察

今回はたまに見かけるデータシートの読み間違いといいますか意味間違えてるであろうと思われる所について書こうと思います。以前から気になっていたところです。
2SK2372のIdとVdsのグラフを見てください。600Vだと0.23Aくらいしか流せませんよね。次に倍圧整流後の電圧280Vをみてみましょう。0.5Aとなってますよね。こんなクソ定格でSSTCなんて動かせないと思ったら間違いです。なぜならこれはMOSFETのVdsだからです。スイッチonにしてスイッチ間に電位差が生まれることはありませんよね。実際にはon抵抗Rds0.23Ω(温度や流している電流にもよる)なのでId×Rds=Vdsとなります。つまり流している電流でVdsがきまるわけですね。
さて、これだけを忠実に守っていればいいかと言われればもちろんNOです。立ち上がり時間と下降時間がゼロではないからです。この時間にスイッチが中途半端にONにされて発熱します。つまりId×Vds=Id^2×Rdsの発熱が発生します。
あとはデッドタイムの生成とかもしなくちゃいけないんですよね。立ち上がり時間や加工時間もう一番めんどくさい要素だと思います。ここで書くよりググってみてください。丁寧に計算式も出てきてくれます。




さて素人風情で色々と書いてましたが間違いなどあったらコメントなどください。


あと今コイルガン作る計画立ててます。入力エネルギーは100Jほどで考えています。また、効率10%を目指したいと考えてます。回路はできてるので後は基板でも作って本格的にやって行こうと思っています。あと昔弾速計作ったので引っ張り出して初速を測らないといけないですね。